Name: PHD63NQ03LT,118
Brand: NXP
SKU: PHD63NQ03LT-118
Availability: InStock
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PHD63NQ03LT,118

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Numero di parte	PHD63NQ03LT,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Scheda dati	PHD63NQ03LT,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD63NQ03LT,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	68.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	111W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD63NQ03LT,118

PHD63NQ03LT,118 Packaging

PHD63NQ03LT,118 FAQ

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