| Numero di parte | PHM30NQ10T,518 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.032 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (6x5) |
| Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHM30NQ10T,518 D# PHM30NQ10T,518-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHM30NQ10T518 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
18022 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHM30NQ10T-518 D# NS-PHM30NQ10T-518 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
6992 |
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