Name: PHW80NQ10T,127
Brand: NXP
SKU: PHW80NQ10T-127
Availability: InStock
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PHW80NQ10T,127

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Numero di parte	PHW80NQ10T,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
Scheda dati	PHW80NQ10T,127 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche PHW80NQ10T,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	109nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4720pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica PHW80NQ10T,127

PHW80NQ10T,127 Packaging

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PHW80NQ10T,127

D# PHW80NQ10T,127-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3

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PHW80NQ10T127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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D# NS-PHW80NQ10T-127

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OEM/CM ONLY

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