Name: PMDPB28UN,115
Brand: NXP
SKU: PMDPB28UN-115
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

PMDPB28UN,115

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Numero di parte	PMDPB28UN,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Scheda dati
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	5.904 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche PMDPB28UN,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 10V
Potenza - Max	510mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6

PMDPB28UN,115 Packaging

PMDPB28UN,115 FAQ

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D# PMDPB28UN,115

NXP Semiconductors

NOW NEXPERIA PMDPB28UN - SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, HUSON6 - Bulk (Alt: PMDPB28UN,115)

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D# 2156-PMDPB28UN115-ND

Rochester Electronics LLC

NOW NEXPERIA PMDPB28UN - HUSON6

312000

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

374400

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1221

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Nexperia

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12500

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NXP Semiconductors

Now Nexperia PMDPB28UN - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

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312000

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