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PMGD8000LN,115

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PMGD8000LN,115

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PMGD8000LN,115
Produttore NXP
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Scheda dati
pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
A magazzino 142.200 piece(s)
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Specifiche PMGD8000LN,115

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C125mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds18.5pF @ 5V
Potenza - Max200mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

PMGD8000LN,115 Packaging

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Sealing
Packing
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PMGD8000LN,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PMGD8000LN,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PMGD8000LN,115 price and inventory displayed accurate?
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