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PMT200EN,135

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PMT200EN,135
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 6.432 piece(s)
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Specifiche PMT200EN,135

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 80V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs235 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

PMT200EN,135 Packaging

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Sealing
Packing
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PMT200EN,135 FAQ

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  • 3. Are the PMT200EN,135 price and inventory displayed accurate?
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MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

16000
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

19200
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

32022
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