| Numero di parte | PMT29EN,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A SC-73 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.056 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 492pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN115 D# PMT29EN,115 |
NXP Semiconductors |
- Bulk (Alt: PMT29EN,115) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN,115 D# 2156-PMT29EN115-NXTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 30V 6A SOT223 |
285 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN115 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
342 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
317 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN,115 |
NXP Semiconductors |
Now Nexperia PMT29EN - Small Signal Field-Effect Transistor, 6A, 30V, N-Channel MOSFET RoHS: Compliant
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285 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMT29EN115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
266 |
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86-755-83210559-841
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