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PMV185XN,215

hot PMV185XN,215

PMV185XN,215

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Numero di parte PMV185XN,215
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche PMV185XN,215

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds76pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB (SOT23)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PMV185XN,215 Packaging

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Packing
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PMV185XN,215 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PMV185XN,215 is from the original manufacturer or authorized agents?
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