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PSMN017-30LL,115

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PSMN017-30LL,115
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH QFN3333
Scheda dati
pacchetto 8-VDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche PSMN017-30LL,115

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds526pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-VDFN Exposed Pad

PSMN017-30LL,115 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PSMN017-30LL,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN017-30LL,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PSMN017-30LL,115 price and inventory displayed accurate?
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NXP Semiconductors

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