| Numero di parte | PSMN3R9-60XSQ |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.344 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5494pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R9-60XSQ |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F |
427 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R9-60XSQ D# 568-11430-5-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 60V 75A TO220F |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R960XSQ |
NXP Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3600 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R960XSQ |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
10022 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R960XSQ |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN3R9-60XSQ |
NXP Semiconductors |
shipping today |
2996 |
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