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| Numero di parte | PSMN9R0-30LL,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.576 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 27 - dic 2 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1193pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN9R0-30LL,115 D# 568-5597-2-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN9R030LL115 |
NXP SEMICONDUCTOR |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN9R030LL115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1297 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PSMN9R030LL115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
2594 |
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86-755-83210559-841
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