Name: R1LV0216BSB-5SI#S0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: R1LV0216BSB-5SI-S0
Availability: InStock
Rating: 5 (128 reviews)

R1LV0216BSB-5SI#S0

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Numero di parte	R1LV0216BSB-5SI#S0
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP
Scheda dati	R1LV0216BSB-5SI#S0 Scheda dati
pacchetto	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
ECAD
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Specifiche R1LV0216BSB-5SI#S0

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	SRAM
Tecnologia	SRAM
Dimensione della memoria	2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	55ns
Tempo di accesso	55ns
Tensione - Fornitura	2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	44-TSOP II

Scheda tecnica R1LV0216BSB-5SI#S0

R1LV0216BSB-5SI#S0 Packaging

R1LV0216BSB-5SI#S0 FAQ

1. How to order R1LV0216BSB-5SI#S0 on Heisener?

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3. Are the R1LV0216BSB-5SI#S0 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of R1LV0216BSB-5SI#S0?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the R1LV0216BSB-5SI#S0 we delivered, we will accept the replacement or return of the R1LV0216BSB-5SI#S0 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of R1LV0216BSB-5SI#S0.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Renesas Electronics Corporation

Min Qty 1000

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D# R1LV0216BSB-5SI#S0-ND

Renesas Electronics Corporation

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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Renesas Electronics Corporation

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