Name: RN1312(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1312-TE85L-F
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

RN1312(TE85L,F)

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Numero di parte	RN1312(TE85L,F)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Scheda dati
pacchetto	SC-70, SOT-323
ECAD
A magazzino	23.196 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche RN1312(TE85L,F)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto	SC-70, SOT-323
ECAD
Serie	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore	USM

RN1312(TE85L,F) Packaging

RN1312(TE85L,F) FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

RN1312(TE85L,F)

D# RN1312(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R - Tape and Reel (Alt: RN1312(TE85L,F))

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Descrizione

Azione

RN1312(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

RoHS (ship within 1day) - D/C 2010

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Produttore

Descrizione

Azione

RN1312(TE85L,F)

D# RN1312(TE85LF)CT-ND

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RN1312TE85LF

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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22Kohms

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