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RN1965(TE85L,F)

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Numero di parte RN1965(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Scheda dati
pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
A magazzino 6.656 piece(s)
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Specifiche RN1965(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie-
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

RN1965(TE85L,F) Packaging

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Packing
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RN1965(TE85L,F) FAQ

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

RN1965(TE85L,F)

D# RN1965(TE85LF)CT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

2965
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

RN1965TE85LF

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

RN1965TE85LF

TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE

OEM/CM ONLY

3016

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