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RN2309(TE85L,F)

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Numero di parte RN2309(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Scheda dati
pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche RN2309(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreUSM

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Packing
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RN2309(TE85L,F) FAQ

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RN2309(TE85L,F)

D# RN2309(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R - Tape and Reel (Alt: RN2309(TE85L,F))

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

RoHS (ship within 1day) - D/C 2012

1940
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# RN2309(TE85LF)CT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

2698
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2328
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1552
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