Name: S27KL0641DABHI020
Brand: Cypress Semiconductor Corp
SKU: S27KL0641DABHI020
Price: 3.6522 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

S27KL0641DABHI020

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Numero di parte	S27KL0641DABHI020
Produttore	Cypress Semiconductor Corp
Descrizione	IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Scheda dati
pacchetto	24-VBGA
ECAD
A magazzino	7.188 piece(s)
Prezzo unitario	$ 3,6522 *
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Specifiche S27KL0641DABHI020

Produttore	Cypress Semiconductor Corp
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	24-VBGA
ECAD
Serie	HyperRAM? KL
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	DRAM
Dimensione della memoria	64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	100MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	40ns
Tensione - Fornitura	2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	24-VBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	24-FBGA (6x8)

S27KL0641DABHI020 Packaging

S27KL0641DABHI020 FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

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S27KL0641DABHI020

D# V36:1790_16216205

Cypress Semiconductor

DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Descrizione

Azione

S27KL0641DABHI020

D# S27KL0641DABHI020

Cypress Semiconductor

HyperRAM Self-Refresh DRAM - Bulk (Alt: S27KL0641DABHI020)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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S27KL0641DABHI020

D# 428-3856-ND

Cypress Semiconductor

IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA

490

Numero di parte

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Descrizione

Azione

S27KL0641DABHI020

D# 2749799

Infineon Technologies AG

DRAM, 64MBIT, 36NS, FBGA-24

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

S27KL0641DABHI020

Cypress Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

929

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Produttore

Descrizione

Azione

S27KL0641DABHI020

D# 727-S27KL0641DABHI02

Cypress Semiconductor

DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb

RoHS: Compliant

553

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Produttore

Descrizione

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S27KL0641DABHI020

D# 92Y2382

Infineon Technologies AG

DRAM, 64MBIT, 36NS, FBGA-24, DRAM Type:HyperRAM, DRAM Density:64Mbit, DRAM Memory Configuration:8M x 8bit, Clock Frequency:100MHz, Memory Case Style:FBGA, No. of Pins:24Pins, Supply Voltage Nom:3V, Access Time:36ns RoHS Compliant: Yes

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S27KL0641DABHI020

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S27KL0641DABHI020

Cypress Semiconductor

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

S27KL0641DABHI020

D# 2749799

Infineon Technologies AG

DRAM, 64MBIT, 36NS, FBGA-24

RoHS: Compliant

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