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SSM3J129TU(TE85L)

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SSM3J129TU(TE85L)

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Numero di parte SSM3J129TU(TE85L)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Scheda dati
pacchetto 3-SMD, Flat Leads
ECAD
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Specifiche SSM3J129TU(TE85L)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto3-SMD, Flat Leads
ECAD
SerieU-MOSV
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs46 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreUFM
Pacchetto / caso3-SMD, Flat Leads

SSM3J129TU(TE85L) Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM3J129TU(TE85L) is from the original manufacturer or authorized agents?
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