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SSM3J307T(TE85L,F)

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Numero di parte SSM3J307T(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino 7.824 piece(s)
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Specifiche SSM3J307T(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieU-MOSV
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1170pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSM
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SSM3J307T(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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