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SSM3J35CTC,L3F

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Numero di parte SSM3J35CTC,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
Scheda dati
pacchetto SC-101, SOT-883
ECAD
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Specifiche SSM3J35CTC,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-101, SOT-883
ECAD
SerieU-MOSVII
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds42pF @ 10V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreCST3C
Pacchetto / casoSC-101, SOT-883

SSM3J35CTC,L3F Packaging

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Packing
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SSM3J35CTC,L3F FAQ

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R

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SSM3J35CTC,L3F

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 3-Pin CSTC - Tape and Reel (Alt: SSM3J35CTC,L3F)

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9994
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MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C

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SSM3J35CTCL3FB

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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SSM3J35CTCL3FT

Toshiba America Electronic Components

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SSM3J35CTC,L3F

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OEM/CM ONLY

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SSM3J35CTCL3FT

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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