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SSM3J56MFV,L3F

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Numero di parte SSM3J56MFV,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
Scheda dati
pacchetto SOT-723
ECAD
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Specifiche SSM3J56MFV,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-723
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C800mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 800mA, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM
Pacchetto / casoSOT-723

SSM3J56MFV,L3F Packaging

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Sealing
Packing
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SSM3J56MFV,L3F FAQ

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  • 3. Are the SSM3J56MFV,L3F price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R

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Trans MOSFET P 20V 0.8A 3-Pin SC-105AA - Tape and Reel (Alt: SSM3J56MFV,L3F)

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.8A 3-Pin SC-105AA (Alt: SSM3J56MFV,L3F(T)

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TOSSSM3J56MFV,L3F(B SMALL SIGNAL MOSFET (Alt: SSM3J56MFV,L3F(B)

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