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SSM3K15AMFV,L3F

hot SSM3K15AMFV,L3F

SSM3K15AMFV,L3F

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Numero di parte SSM3K15AMFV,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Scheda dati
pacchetto SOT-723
ECAD
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Specifiche SSM3K15AMFV,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-723
ECAD
SerieU-MOSIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13.5pF @ 3V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM
Pacchetto / casoSOT-723

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Packing
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SSM3K15AMFV,L3F FAQ

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 2300

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MOSFET

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Container: Cut Tape
 20
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 4
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MOSFET N-CH 30V 100MA VESM

 1423
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 Toshiba America Electronic Components

MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

RoHS: Compliant
 6043
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SSM3K15AMFV,L3F(T

 Toshiba America Electronic Components

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.1A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

 105

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 --

3
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