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SSM3K309T(TE85L,F)

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SSM3K309T(TE85L,F)

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SSM3K309T(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino 6.336 piece(s)
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Specifiche SSM3K309T(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 4A, 4V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSM
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SSM3K309T(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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SSM3K309T(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM3K309T(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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