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SSM3K56MFV,L3F

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SSM3K56MFV,L3F

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Numero di parte SSM3K56MFV,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Scheda dati
pacchetto SOT-723
ECAD
A magazzino 192.000 piece(s)
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Specifiche SSM3K56MFV,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-723
ECAD
SerieU-MOSVII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C800mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds55pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs235 mOhm @ 800mA, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM
Pacchetto / casoSOT-723

SSM3K56MFV,L3F Packaging

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Packing
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SSM3K56MFV,L3F FAQ

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 3-Pin VESM Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: SSM3K56MFV,L3F)

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RoHS: Compliant
0
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Transistor MOSFET N-CH 20V 800mA 3-Pin SOT-723 (Alt: SSM3K56MFV,L3F(T)

0
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SSM3K56MFV,L3F(T

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MOSFET

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N-Channel 20V 800mA 1V @ 1mA 235mohms @ 800mA,4.5V 150mW SOT-723 MOSFET RoHS

142
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MOSFET N-CH 20V 800MA VESM

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MOSFET Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R

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