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SSM3K7002BF,LF

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SSM3K7002BF,LF

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Numero di parte SSM3K7002BF,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SSM3K7002BF,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieU-MOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-59
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Packing
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SSM3K7002BF,LF FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R

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 0
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin S-Mini - Tape and Reel (Alt: SSM3K7002BF,LF)

RoHS: Compliant
 0
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SSM3K7002BF,LF(B

D# SSM3K7002BF,LF(B

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Transistor MOSFET N-CH 60V 200mA 3-Pin TO-236 (Alt: SSM3K7002BF,LF(B)

RoHS: Compliant
 0
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SSM3K7002BF,LF(T

 Toshiba America Electronic Components

N-Channel 60V 200mA 3.1V @ 250uA 2.1ohms @ 500mA,10V 200mW S-MINI MOSFET RoHS

 1200
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D# SSM3K7002BFLFTR-ND

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MOSFET N-CH 60V 200MA SC59

 0
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SSM3K7002BF,LF(T

D# C396062

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