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SSM6J53FE(TE85L,F)

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Numero di parte SSM6J53FE(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Scheda dati

SSM6J53FE(TE85L,F) Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SSM6J53FE(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds568pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs136 mOhm @ 1A, 2.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreES6 (1.6x1.6)
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

Scheda tecnica SSM6J53FE(TE85L,F)

SSM6J53FE(TE85L,F) Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6J53FE(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

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