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SSM6N57NU,LF

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SSM6N57NU,LF

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Numero di parte SSM6N57NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 13.344 piece(s)
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Specifiche SSM6N57NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs46 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 10V
Potenza - Max1W
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-µDFN(2x2)

SSM6N57NU,LF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SSM6N57NU,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6N57NU,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6N57NU,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6N57NU,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6N57NU,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6N57NU,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SSM6N57NU,LF we delivered, we will accept the replacement or return of the SSM6N57NU,LF only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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PB-F UDFN6 DUAL NCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=20V - Tape and Reel (Alt: SSM6N57NU,LF)

RoHS: Compliant
 0
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D# SSM6N57NU,LF(T

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Trans MOSFET N 30V 4A 6-Pin UDFN (Alt: SSM6N57NU,LF(T)

 0
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Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP

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 3000
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 2867
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MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

 13640
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 3451

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 21420
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MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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MOSFET DUAL NCH MOSFET (LF) TRANS

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MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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