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SSM6N58NU,LF

hot SSM6N58NU,LF

SSM6N58NU,LF

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Numero di parte SSM6N58NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche SSM6N58NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds129pF @ 15V
Potenza - Max1W
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFN (2x2)

SSM6N58NU,LF Packaging

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Packing
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SSM6N58NU,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6N58NU,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6N58NU,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6N58NU,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6N58NU,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6N58NU,LF price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R

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Trans MOSFET N 30V 4A 6-Pin UDFN - Tape and Reel (Alt: SSM6N58NU,LF)

RoHS: Compliant
0
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D# SSM6N58NU,LF(T

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Trans MOSFET Array N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN (Alt: SSM6N58NU,LF(T)

0
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MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

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