Name: TC58NYG0S3HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TC58NYG0S3HBAI6
Availability: InStock
Rating: 5 (104 reviews)

TC58NYG0S3HBAI6

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Numero di parte	TC58NYG0S3HBAI6
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Scheda dati
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
A magazzino	2.864 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche TC58NYG0S3HBAI6

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
Serie	-
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	67-VFBGA (6.5x8)

TC58NYG0S3HBAI6 Packaging

TC58NYG0S3HBAI6 FAQ

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Numero di parte

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Descrizione

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TC58NYG0S3HBAI6

D# V36:1790_13898557

KIOXIA

NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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TC58NYG0S3HBAI6

D# TC58NYG0S3HBAI6

KIOXIA

1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG0S3HBAI6)

RoHS: Not Compliant

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TC58NYG0S3HBAI6_REEL

D# TC58NYG0S3HBAI6_REEL

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TC58NYG0S3HBAI6_REEL)

TC58NYG0S3HBAI6_TRAY

D# TC58NYG0S3HBAI6_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TC58NYG0S3HBAI6_TRAY)

Numero di parte

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Toshiba America Electronic Components

343

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KIOXIA

VFBGA-67 FLASH RoHS

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D# TC58NYG0S3HBAI6-ND

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

287

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D# C481875

KIOXIA

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TC58NYG0S3HBAI6JAH

Toshiba America Electronic Components

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143

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM Immediate delivery

379

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TC58NYG0S3HBAI6

D# 757-TC58NYG0S3HBAI6

Kioxia

NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

RoHS: Compliant

323

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