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TK100A06N1,S4X

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Numero di parte TK100A06N1,S4X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 5.296 piece(s)
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Specifiche TK100A06N1,S4X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10500pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK100A06N1,S4X Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TK100A06N1,S4X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK100A06N1,S4X is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TK100A06N1,S4X price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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Trans MOSFET N-CH 60V 263A 3-Pin TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK100A06N1,S4X)

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Trans MOSFET N-CH 60V 263A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK100A06N1,S4X(S)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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0
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MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS

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MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V

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300
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N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK100A06N1,S4X(S, PK

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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