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TK100L60W,VQ

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Numero di parte TK100L60W,VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Scheda dati
pacchetto TO-3PL
ECAD
A magazzino 7.476 piece(s)
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Specifiche TK100L60W,VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3PL
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs360nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15000pF @ 30V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)797W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(L)
Pacchetto / casoTO-3PL

TK100L60W,VQ Packaging

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Packing
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TK100L60W,VQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK100L60W,VQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A Tray

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D# TK100L60W,VQ(O

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D# TK100L60WVQ-ND

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