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TK100S04N1L,LQ

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Numero di parte TK100S04N1L,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 2.800 piece(s)
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Specifiche TK100S04N1L,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5490pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK100S04N1L,LQ Packaging

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TK100S04N1L,LQ FAQ

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