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TK10A60D(STA4,Q,M)

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Numero di parte TK10A60D(STA4,Q,M)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 3.904 piece(s)
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Specifiche TK10A60D(STA4,Q,M)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs750 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

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Sealing
Packing
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D# V36:1790_13896078

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK10A60DSTA4QM

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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK10A60D(STA4,Q,M))

RoHS: Compliant
0
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TK10A60DSTA4QM

D# TK10A60D(STA4,Q,M)

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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS (Alt: TK10A60D(STA4,Q,M))

RoHS: Compliant
0
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TK10A60D(STA4,Q,M)

D# TK10A60DSTA4QM-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK10A60DSTA4QM

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1006
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

RoHS: Compliant
1393
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