| Numero di parte | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 2.080 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 1 - dic 6 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
|
| Serie | ��-MOSVIII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
|
SIT1602BC-71-25N-48.000000E | SiTime, -20 TO 70C, 2016, 20PPM, 2.5V, 4, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
1808Y0630152KCR | Knowles Syfer, CAP CER 1500PF 63V C0G/NP0 1808, 1808 (4520 Metric), ��-MOSVIII | Visualizza |
|
SL28541BZC | Silicon Labs, IC CLOCK CK505 MOBILE 64TSSOP, 64-TFSOP (0.240", 6.10mm Width), ��-MOSVIII | Visualizza |
|
FNM-1-8/10 | Eaton, FUSE CARTRIDGE 5AG, 5AG, 10mm x 38.1mm, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
RT0805BRE07300KL | Yageo, RES SMD 300K OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
0395161002 | Molex, LLC, TERM BLOCK HDR 2POS 90DEG 3.81MM, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
ESW-108-59-S-S-LL | Samtec Inc., ELEVATED SOCKET STRIPS, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
0751020113 | Molex, LLC, CONN HDR DUAL 72POS .100 SRT TIN, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
ABC43DKNH-S1243 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 86POS 0.100, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
JCC15HETH | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 15POS 0.100, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
SI5340D-D10600-GMR | Silicon Labs, IC CLOCK GENERATOR PLL 44QFN, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
|
|
XC6220C22BQR-G | Torex Semiconductor Ltd, 1A HIGH SPEED LDO REGULATOR WITH, -, ��-MOSVIII | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK10J80E,S1E D# TK10J80E,S1E |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin TO-3P(N) - Rail/Tube (Alt: TK10J80E,S1E) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK10J80E,S1E D# TK10J80ES1E-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK10J80E,S1E |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN pbFree: Pb-Free
|
0 |
TK10J80ES1E |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET MOSFET TRAN TO-3PN(OS) pbFree: Pb-Free
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa TK10J80E,S1E?
+86-755-83210559 ext. 809
Scansiona per visualizzare questa pagina
