Name: TK10Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10Q60W-S1VQ
Availability: InStock
Rating: 5 (109 reviews)

TK10Q60W,S1VQ

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Numero di parte	TK10Q60W,S1VQ
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Scheda dati
pacchetto	TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
A magazzino	4.384 piece(s)
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Specifiche TK10Q60W,S1VQ

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-Pak
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak

TK10Q60W,S1VQ Packaging

TK10Q60W,S1VQ FAQ

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D# V99:2348_13896084

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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D# TK10Q60W,S1VQ

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin IPAK - Rail/Tube (Alt: TK10Q60W,S1VQ)

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D# TK10Q60W,S1VQ(S

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Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin IPAK (Alt: TK10Q60W,S1VQ(S)

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D# TK10Q60WS1VQ-ND

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MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

pbFree: Pb-Free

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TK10Q60W,S1VQ

D# 30559438

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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