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TK16A60W,S4VX

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TK16A60W,S4VX

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Numero di parte TK16A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 8.520 piece(s)
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Specifiche TK16A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

TK16A60W,S4VX Packaging

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Packing
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TK16A60W,S4VX FAQ

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Trans MOSFET N 600V 15.8A 3-Pin TO-220SIS Tube - Rail/Tube (Alt: TK16A60W,S4VX)

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Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK16A60W,S4VX(M)

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MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS

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N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK16A60W,S4VX(M, PK

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MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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MOSFET PWR MOS PD=45W F=1MHZ

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