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TK16J60W,S1VQ

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Numero di parte TK16J60W,S1VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
A magazzino 6.276 piece(s)
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Specifiche TK16J60W,S1VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

TK16J60W,S1VQ Packaging

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Packing
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TK16J60W,S1VQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK16J60W,S1VQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-3P Toshiba TK16J60W,S1VQ(O, EA

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