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TK2A65D(STA4,Q,M)

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Numero di parte TK2A65D(STA4,Q,M)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 3.360 piece(s)
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Specifiche TK2A65D(STA4,Q,M)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.26 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

TK2A65D(STA4,Q,M) Packaging

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Packing
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TK2A65D(STA4,Q,M) FAQ

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D# V99:2348_13896166

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK2A65D(STA4,Q,M)

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK2A65D(STA4,Q,M))

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK2A65D(STA4,Q,M)

D# TK2A65D(STA4QM)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK2A65D(STA4,Q,M)

D# 757-TK2A65DSTA4QM

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

RoHS: Compliant
247
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK2A65D(STA4QM)

Toshiba America Electronic Components

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

pbFree: Pb-Free
0

TK2A65D(STA4,Q,M)

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

pbFree: Pb-Free
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