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TK31J60W5,S1VQ

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Numero di parte TK31J60W5,S1VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
A magazzino 7.888 piece(s)
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Specifiche TK31J60W5,S1VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs88 mOhm @ 15.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

TK31J60W5,S1VQ Packaging

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Packing
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TK31J60W5,S1VQ FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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D# TK31J60W5,S1VQ

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N 600V 30.8A 3-Pin SC-65 Bag - Rail/Tube (Alt: TK31J60W5,S1VQ)

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

60
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK31J60W5,S1VQ

D# TK31J60W5S1VQ-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

30

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

71
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TK31J60W5,S1VQ

D# 10AH1286

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-3PN(OS) MOQ=50 PD=230W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES

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Min Qty: 25
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK31J60W5,S1VQ(O

D# 8962331

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MOSFET 600V N-CH 30.8A 230W FET

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MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

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