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TK31N60W5,S1VF

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Numero di parte TK31N60W5,S1VF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 6.648 piece(s)
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Specifiche TK31N60W5,S1VF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 15.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

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Packing
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TK31N60W5,S1VF FAQ

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  • 3. Are the TK31N60W5,S1VF price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 3-Pin TO-247 - Rail/Tube (Alt: TK31N60W5,S1VF)

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D# TK31N60W5,S1VF(S

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Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 3-Pin TO-247 (Alt: TK31N60W5,S1VF(S)

 0
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D# C1S751201066624

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

RoHS: Compliant
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Min Qty: 1
Container: Tube
 20
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D# TK31N60W5S1VF-ND

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MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247

 29
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D# 757-TK31N60W5S1VF

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MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

RoHS: Compliant
 156
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D# 1250565

 Toshiba America Electronic Components

N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK31N60W5,S1VF(S, PK

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 30
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 124
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MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

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MOSFET MOSFET TRAN

pbFree: Pb-Free
 0
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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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