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TK39A60W,S4VX

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Numero di parte TK39A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 7.296 piece(s)
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Specifiche TK39A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C38.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 19.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK39A60W,S4VX Packaging

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Sealing
Packing
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TK39A60W,S4VX FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK39A60W,S4VX)

RoHS: Compliant
0
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Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK39A60W,S4VX(M)

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0
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

RoHS: Compliant
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Container: Bulk
550
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

60

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D# 757-TK39A60WS4VX

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MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

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TK39A60W,S4VX(M

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pbFree: Pb-Free
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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