| Numero di parte | TK39J60W5,S1VQ |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 9.384 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | DTMOSIV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ D# V99:2348_13896201 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5S1VQ D# TK39J60W5,S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N 600V 38.8A 3-Pin SC-65 Bag - Rail/Tube (Alt: TK39J60W5,S1VQ) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ D# TK39J60W5S1VQ-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P |
25 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ(O |
Toshiba America Electronic Components |
In stock shipping within 2days |
140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
293 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ(O |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM Immediate delivery |
40 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ D# 757-TK39J60W5S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC RoHS: Compliant
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52 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ D# 10AH1293 |
Toshiba America Electronic Components |
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-3PN(OS) MOQ=50 PD=270W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Bulk
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ(O D# 8962363 |
Toshiba America Electronic Components |
N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK39J60W5,S1VQ(O, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
241 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ(O |
Toshiba America Electronic Components |
IN stock Immediate delivery |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC pbFree: Pb-Free
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TK39J60W5S1VQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET 600V N-CH 38.8A 270W FET pbFree: Pb-Free
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK39J60W5,S1VQ D# 30559433 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube RoHS: Compliant
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+86-755-83210559 ext. 813
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