| Numero di parte | TK40E06N1,S1X |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 60V 40A TO-220 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.768 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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SIT9120AI-1C2-33S133.000000X | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 3.3V, 1, 6-SMD, No Lead, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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SIT1602BI-83-33N-62.500000X | SiTime, -40 TO 85C, 7050, 50PPM, 3.3V, 6, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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SIT1602BI-22-18S-62.500000D | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 25PPM, 1.8V, 6, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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CDS15FD361FO3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE), MICA, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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1206Y0630221GFR | Knowles Syfer, CAP CER 220PF 63V C0G/NP0 1206, 1206 (3216 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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CLE-154-01-G-DV-TR | Samtec Inc., .8MM MICRO SOCKET STRIPS, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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HDWM-13-51-S-D-230 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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AIB6TA14S-A7PC-025 | Amphenol Industrial Operations, GT 7C 7#16S PIN PLUG RTANG, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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97-3106A36-10SW | Amphenol Industrial Operations, AB 48C 48#16 SKT PLUG, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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HD10-9-1939PE | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSNG MALE 9POS PNL MT, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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CN0966A14A03PN-040 | Cinch Connectivity Solutions, CONN PLUG HSNG MALE 3POS INLINE, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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VE-2T1-CY-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 50W, Full Brick, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X(S D# E02:0323_06357017 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine RoHS: Compliant
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0 |
TK40E06N1,S1X D# V99:2348_13896219 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1S1X D# TK40E06N1,S1X |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N 60V 60A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK40E06N1,S1X) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X(S D# TK40E06N1,S1X(S |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin TO-220 (Alt: TK40E06N1,S1X(S) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1S1X |
Toshiba America Electronic Components |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB RoHS: Compliant
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0 |
TK40E06N1S1XS |
Toshiba America Electronic Components |
RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X D# TK40E06N1S1X-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 60V 40A TO220 |
21 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X |
Toshiba America Electronic Components |
In stock shipping within 2days |
145 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1S1X |
TOSHIBA PARTNER |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11900 |
TK40E06N1S1XS |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2380 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X D# 757-TK40E06N1S1X |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC RoHS: Compliant
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1680 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X(S D# XSKDRABV0061148 |
Toshiba America Electronic Components | 700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1S1X |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
10016 |
TK40E06N1S1XS |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
1516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC pbFree: Pb-Free
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0 |
TK40E06N1S1X |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET 100V N-CH PWR FET 60A pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TK40E06N1,S1X(S D# 19040725 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine RoHS: Compliant
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0 |
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