Name: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4A60DB-STA4-Q-M
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Numero di parte	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino	3.488 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche TK4A60DB(STA4,Q,M)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	��-MOSVII
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

TK4A60DB(STA4,Q,M) Packaging

TK4A60DB(STA4,Q,M) FAQ

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TK4A60DB(STA4,Q,M)

D# V36:1790_13896276

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK4A60DB(STA4,Q,M))

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Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS (Alt: TK4A60DB(STA4,Q,M))

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TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

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TK4A60DBSTA4QM

Toshiba America Electronic Components

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