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TK55S10N1,LQ

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Numero di parte TK55S10N1,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 16.866 piece(s)
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Specifiche TK55S10N1,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C55A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3280pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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TK55S10N1,LQ FAQ

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Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK55S10N1,LQ)

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Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin DPAK (Alt: TK55S10N1,LQ(O)

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 Toshiba America Electronic Components

N-Channel 100V 55A 4V @ 500uA 6.5mohms @ 27.5A,10V 157W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

 6
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D# TK55S10N1LQCT-ND

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MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

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MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

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