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TK5Q60W,S1VQ

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Numero di parte TK5Q60W,S1VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Scheda dati
pacchetto TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
A magazzino 6.024 piece(s)
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Specifiche TK5Q60W,S1VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-Pak
Pacchetto / casoTO-251-3 Stub Leads, IPak

TK5Q60W,S1VQ Packaging

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Packing
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TK5Q60W,S1VQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK5Q60W,S1VQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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