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TK60D08J1(Q)

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Numero di parte TK60D08J1(Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Scheda dati

TK60D08J1(Q) Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche TK60D08J1(Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5450pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220(W)
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica TK60D08J1(Q)

TK60D08J1(Q) Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK60D08J1(Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK60D08J1(Q). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK60D08J1(Q) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK60D08J1(Q) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK60D08J1(Q) price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET,N CH,75V,60A,SC-67

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Toshiba America Electronic Components

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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MOSFET N-CH 75V 60A TO220

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