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TK6A60W,S4VX

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Numero di parte TK6A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 6.736 piece(s)
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Specifiche TK6A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs750 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK6A60W,S4VX Packaging

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Sealing
Packing
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TK6A60W,S4VX FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK6A60W,S4VX is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK6A60W,S4VX. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK6A60W,S4VX on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK6A60W,S4VX products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N 600V 6.2A 3-Pin SC-67 Tube - Rail/Tube (Alt: TK6A60W,S4VX)

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MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS

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MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

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