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TK6P60W,RVQ

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Numero di parte TK6P60W,RVQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 6.240 piece(s)
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Specifiche TK6P60W,RVQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs820 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK6P60W,RVQ Packaging

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Sealing
Packing
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TK6P60W,RVQ FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK6P60W,RVQ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK6P60W,RVQ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK6P60W,RVQ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of TK6P60W,RVQ?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Trans MOSFET N 600V 6.2A 3-Pin DPAK Emboss T/R - Tape and Reel (Alt: TK6P60W,RVQ)

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D# TK6P60W,RVQ(S

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D# 44703324

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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