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TK7E80W,S1X

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Numero di parte TK7E80W,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 9.276 piece(s)
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Specifiche TK7E80W,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 300V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs950 mOhm @ 3.3A, 10V
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

TK7E80W,S1X Packaging

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Packing
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TK7E80W,S1X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK7E80W,S1X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK7E80W,S1X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK7E80W,S1X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK7E80W,S1X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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 0
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=110W F=1MHZ - Rail/Tube (Alt: TK7E80W,S1X)

RoHS: Compliant
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D# TK7E80WS1X-ND

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MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

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 60
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 141
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MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

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MOSFET PWR MOS TRANS

pbFree: Pb-Free
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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