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TK7S10N1Z,LQ

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Numero di parte TK7S10N1Z,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 6.736 piece(s)
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Specifiche TK7S10N1Z,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48 mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK7S10N1Z,LQ Packaging

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Packing
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TK7S10N1Z,LQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK7S10N1Z,LQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK7S10N1Z,LQ

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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK7S10N1Z,LQ)

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TK7S10N1Z,LQ(O

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK7S10N1ZLQTR-ND

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 58
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 757-TK7S10N1ZLQ

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MOSFET 60W 1MHz Automotive, AEC-Q101

RoHS: Compliant
 2000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK7S10N1ZLQ

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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